IQE022N06LM5CGSCATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V |
| Πακέτο | PG-WHTFN-9 |
| Σε απόθεμα | 65948 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.124 | $1.01 | $0.811 | $0.667 | $0.552 | $0.514 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 65948 κομμάτια του Infineon Technologies IQE022N06LM5CGSCATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 48µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-WHTFN-9 |
| Σειρά | OptiMOS™ 5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 9-PowerWDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4420 pF @ 30 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 24A (Ta), 151A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IQE022 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IQE030N06NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE013N04LM6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSONInfineon Technologies -
IQE046N08LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE013N04LM6CGATMA1
40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3Infineon Technologies -
IQE046N08LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE008N03LM5ATMA1
TRENCH <= 40V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE006NE2LM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE030N06NM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE030N06NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE013N04LM6SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE030N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE046N08LM5SCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE050N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE022N06LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE046N08LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE008N03LM5CGATMA1
TRENCH <= 40V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE022N06LM5SCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE022N06LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies