IQE050N08NM5CGATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9 |
| Πακέτο | PG-TTFN-9-1 |
| Σε απόθεμα | 84295 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.019 | $0.914 | $0.749 | $0.638 | $0.538 | $0.511 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 84295 κομμάτια του Infineon Technologies IQE050N08NM5CGATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 49µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TTFN-9-1 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerTDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount, Wettable Flank |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 40 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 43.2 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 80 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 101A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IQE050N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IQE030N06NM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE065N10NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE046N08LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE030N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE050N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE065N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE030N06NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE24004A070V-031-R
DC DC CONVERTER 7V 28WTDK-Lambda Americas Inc -
IQE065N10NM5CGATMA1
TRENCH >=100V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE050N08NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE046N08LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE046N08LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE065N10NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE046N08LM5SCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE022N06LM5SCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE220N15NM5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IQE24005A120V-031-R
DC DC CONVERTER 12V 60WTDK-Lambda Americas Inc -
IQE030N06NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE220N15NM5CGATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IQE050N08NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies