IQE065N10NM5CGSCATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET |
| Πακέτο | PG-WHTFN-9-1 |
| Σε απόθεμα | 66790 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.235 | $1.11 | $0.909 | $0.774 | $0.653 | $0.62 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 66790 κομμάτια του Infineon Technologies IQE065N10NM5CGSCATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 48µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-WHTFN-9-1 |
| Σειρά | OptiMOS™ 5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 9-PowerWDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 85A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IQE065N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE050N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE220N15NM5CGATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IQE065N10NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE046N08LM5SCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE065N10NM5CGATMA1
TRENCH >=100V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE24007A150V-001-R
DC DC CONVERTER 15V 105WTDK-Lambda Americas Inc -
IQE050N08NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE24009A120V-007-R
DC DC CONVERTER 12V 108WTDK-Lambda Americas Inc -
IQE046N08LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE24007A050V-031-R
DC DC CONVERTER 5V 35WTDK-Lambda Americas Inc -
IQE24005A120V-031-R
DC DC CONVERTER 12V 60WTDK-Lambda Americas Inc -
IQE24007A120V-031-R
DC DC CONVERTER 12V 84WTDK-Lambda Americas Inc -
IQE050N08NM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE24009A120V-001-R
DC DC CONVERTER 12VTDK-Lambda Americas Inc -
IQE220N15NM5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IQE046N08LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE046N08LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE24004A070V-031-R
DC DC CONVERTER 7V 28WTDK-Lambda Americas Inc -
IQE050N08NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies