IRF5210LPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF5210LPBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 100V 38A TO262
Πακέτο	TO-262
Σε απόθεμα	4819 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020 Mult Dev Label Chgs Aug/2020 Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021 Tube Pkg MOQ Standardization 28/Jul/2017 IR Part Numbering System Mult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4819 κομμάτια του Infineon Technologies IRF5210LPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-262
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 38A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3.1W (Ta), 170W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2780 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	230 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IRF5210