Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF530NPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF530NPBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Πακέτο	TO-220AB
Σε απόθεμα	254352 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Label Chgs Aug/2020 Tube Pkg Qty Std Rev 18/Aug/2016 Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016 Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021 IR Part Numbering System Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000	10000
$0.448	$0.399	$0.311	$0.257	$0.203	$0.189	$0.18	$0.173

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 254352 κομμάτια του Infineon Technologies IRF530NPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220AB
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	70W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	37 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IRF530