Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF5210STRRPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF5210STRRPBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Πακέτο	D2PAK
Σε απόθεμα	6026 pcs
Φύλλο δεδομένων	IR Part Numbering System Package Drawing Update 19/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 Mult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021 Copper Plating Update 31/Aug/2015 Mult Dev EOL 13/Apr/2022

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6026 κομμάτια του Infineon Technologies IRF5210STRRPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D2PAK
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 38A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3.1W (Ta), 170W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2780 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	230 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IRF5210