Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF5210SPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF5210SPBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Πακέτο	D2PAK
Σε απόθεμα	6273 pcs
Φύλλο δεδομένων	Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016 Packing Material Update 16/Sep/2016 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 IR Part Numbering System Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018 Material Chg 24/Nov/2015 Copper Plating Update 31/Aug/2015

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6273 κομμάτια του Infineon Technologies IRF5210SPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D2PAK
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 38A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3.1W (Ta), 170W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tube

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2780 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	230 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)