Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

DMN1032UCB4-7

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMN1032UCB4-7
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Πακέτο	U-WLB1010-4
Σε απόθεμα	4277 pcs
Φύλλο δεδομένων	Diodes Environmental Compliance Cert Mult Dev EOL 22/Nov/2021 Mult Dev Wafer Chgs 3/Feb/2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 4277 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	U-WLB1010-4
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 1A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	900mW (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	4-UFBGA, WLBGA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 6 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	4.5 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	12 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4.8A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMN1032