DMN10H099SFG-13

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMN10H099SFG-13
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Πακέτο	PowerDI3333-8
Σε απόθεμα	530618 pcs
Φύλλο δεδομένων	Diodes Environmental Compliance Cert Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021 DMN10H099SFG

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

3000	6000	15000	30000
$0.097	$0.09	$0.087	$0.084

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 530618 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PowerDI3333-8
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 3.3A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	980mW (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	8-PowerVDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1172 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	25.2 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMN10