DMN10H170SFDE-7
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | DMN10H170SFDE-7 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Diodes Incorporated |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN |
| Πακέτο | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Σε απόθεμα | 605370 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev A/T Site 31/Mar/2021DMN10H170SFDE |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 3000 | 6000 | 15000 | 30000 |
|---|---|---|---|
| $0.067 | $0.063 | $0.058 | $0.055 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 605370 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN10H170SFDE-7 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 660mW (Ta) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 6-PowerUDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1167 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | DMN10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
DMN10H170SVT-13
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26Diodes Incorporated -
DMN10H099SFG-13
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN1054UCB4-7
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4Diodes Incorporated -
DMN10H099SFG-7
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3Diodes Incorporated -
DMN10H120SE-13
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223Diodes Incorporated -
DMN10H170SVTQ-13
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26Diodes Incorporated -
DMN1053UCP4-7
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4Diodes Incorporated -
DMN10H170SFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SK3Q-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252Diodes Incorporated -
DMN10H170SFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26Diodes Incorporated -
DMN10H120SFG-13
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SVT-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26Diodes Incorporated -
DMN10H170SFGQ-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMN10H120SFG-7
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H100SK3-13
MOSFET N-CH 100V 18A TO252Diodes Incorporated -
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252Diodes Incorporated -
DMN10H170SFGQ-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated