DMN10H170SFGQ-13
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | DMN10H170SFGQ-13 |
---|---|
Κατασκευαστής | Diodes Incorporated |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 |
Πακέτο | PowerDI3333-8 |
Σε απόθεμα | 424092 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Diodes Environmental Compliance CertDMN10H170SFGQ |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
3000 | 6000 | 15000 | 30000 |
---|---|---|---|
$0.108 | $0.1 | $0.097 | $0.093 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 424092 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN10H170SFGQ-13 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerDI3333-8 |
Σειρά | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122mOhm @ 3.3A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 940mW (Ta) |
Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerVDFN |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 870.7 pF @ 25 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 14.9 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | DMN10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
DMN10H120SE-13
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223Diodes Incorporated -
DMN10H170SVTQ-13
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26Diodes Incorporated -
DMN10H170SFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3Diodes Incorporated -
DMN10H170SFDE-7
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMN10H220L-13
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23Diodes Incorporated -
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252Diodes Incorporated -
DMN10H120SFG-13
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H120SFG-7
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SFGQ-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23Diodes Incorporated -
DMN10H170SVT-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26Diodes Incorporated -
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26Diodes Incorporated -
DMN10H170SFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H220LDV-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33Diodes Incorporated -
DMN10H170SVT-13
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26Diodes Incorporated -
DMN10H099SFG-7
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMN10H170SK3Q-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252Diodes Incorporated -
DMN10H100SK3-13
MOSFET N-CH 100V 18A TO252Diodes Incorporated