FDB15N50_NL
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB15N50_NL |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Πακέτο | D2PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 5447 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 5447 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDB15N50_NL σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D2PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 300W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 500 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB15N50
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAKonsemi -
FDB24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB14N30TM
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAKonsemi -
FDB2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAKonsemi -
FDB13AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABonsemi -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263ABonsemi -
FDB2532
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB150N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB20AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAKonsemi -
FDB14N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB1D7N10CL7
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAKonsemi -
FDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A TO263ABonsemi -
FDB20AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263ABonsemi -
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAKonsemi -
FDB150N10
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAKonsemi -
FDB20N50F
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAKonsemi