FDB120N10
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB120N10 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 49274 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023SOA curve 01/Jul/2013FDB120N10 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.058 | $0.949 | $0.777 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 49274 κομμάτια του onsemi FDB120N10 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 74A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 170W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 5605 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDB120 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB12N50UTM_WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKonsemi -
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB120N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FDB075N15A-F085
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKonsemi -
FDB13AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB12N50FTM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB110N15A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB12N50TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB088N08_F141
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263ABonsemi -
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB088N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB088N08
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB12N50TM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAKonsemi -
FDB110N15A
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAKonsemi -
FDB082N15A
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAKonsemi -
FDB12N50UTM
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABonsemi