FDB088N08
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB088N08 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 43853 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSDescription Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Assembly Change 09/May/2023TO263 31/Aug/2016FDB088N08 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.184 | $1.065 | $0.856 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 43853 κομμάτια του onsemi FDB088N08 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 75A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 160W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 6595 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 75 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDB088 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAKonsemi -
FDB120N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FDB088N08
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB0630N1507L
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7onsemi -
FDB070AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB088N08_F141
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB110N15A
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAKonsemi -
FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAKonsemi -
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7onsemi -
FDB075N15A-F085
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKonsemi -
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 15A TO263ABonsemi -
FDB12N50TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB082N15A
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAKonsemi -
FDB12N50TM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263ABonsemi -
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB12N50FTM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB110N15A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor