SCTWA50N120
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SCTWA50N120 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | STMicroelectronics |
| Λεπτομερής περιγραφή | SICFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| Πακέτο | HiP247™ |
| Σε απόθεμα | 3022 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | SCTWA50N120SCTYYY 18/Mar/2018 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 |
|---|---|---|---|---|
| $15.469 | $14.267 | $13.626 | $12.183 | $12.023 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 3022 κομμάτια του STMicroelectronics SCTWA50N120 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Τεχνολογία | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | HiP247™ |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 318W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-3 |
| Πακέτο | Tube |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 400 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 122 nC @ 20 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 1200 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SCTWA50 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247STMicroelectronics -
SCTW35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA35N65G2V-4
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247STMicroelectronics -
SCTW40N120G2VAG
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247STMicroelectronics -
SCTW60N120G2
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTW90N65G2V
SICFET N-CH 650V 90A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120STMicroelectronics -
SCTWA10N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTWA40N120G2V-4
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120STMicroelectronics -
SCTWA20N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTWA35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A TO247STMicroelectronics -
SCTW70N120G2V
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650STMicroelectronics -
SCTW35N65G2V
SICFET N-CH 650V 45A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA70N120G2V-4
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA40N120G2V
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA30N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics