Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SISH407DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH407DN-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SISH407DN-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
Πακέτο PowerPAK® 1212-8SH
Σε απόθεμα 281669 pcs
Φύλλο δεδομένων SISH407DN Datasheet
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.31 $0.272 $0.208 $0.165 $0.132
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 281669 κομμάτια του Vishay Siliconix SISH407DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® 1212-8SH
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® 1212-8SH
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2760 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 93.8 nC @ 8 V
FET Τύπος P-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SISH407

Συνιστώμενα προϊόντα

SISH407DN-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων