FQD11P06TM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQD11P06TM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK |
| Πακέτο | TO-252AA |
| Σε απόθεμα | 158212 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Postponed Qualification 27/Dec/2022Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSAssembly Change 28/May/2023FQD11P06, FQU11P06 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.451 | $0.403 | $0.314 | $0.259 | $0.205 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 158212 κομμάτια του onsemi FQD11P06TM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252AA |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 4.7A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQD11P06 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQD12N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252onsemi -
FQD10N20LTF
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252onsemi -
FQD12N20LTM-F085P
MOSFET N-CH 200V 9A TO252onsemi -
FQD12N20LTM_SN00173
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM-F085
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD10N20CTM_F080
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD11P06TF
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAKonsemi -
FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAKonsemi -
FQD12P10TF
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAKonsemi -
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD10N20TM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKonsemi -
FQD12N20TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQD12N20LTF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD10N20TF
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKonsemi