FQD12N20TF
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQD12N20TF |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
| Πακέτο | TO-252, (D-Pak) |
| Σε απόθεμα | 6785 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 6785 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FQD12N20TF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252, (D-Pak) |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 200 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20LTF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM_SN00173
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM-F085
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD10N20TM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKonsemi -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD12N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQD12N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD11P06TF
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAKonsemi -
FQD12N20TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAKonsemi -
FQD12P10TF
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD13N06LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N06LTF
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD12N20LTM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM-F085P
MOSFET N-CH 200V 9A TO252onsemi