NDD60N745U1-1G
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | NDD60N745U1-1G |
---|---|
Κατασκευαστής | onsemi |
Λεπτομερής περιγραφή | NDD60N745 - POWER MOSFET 600V 6. |
Πακέτο | I-PAK |
Σε απόθεμα | 6166 pcs |
Φύλλο δεδομένων | NDD60N745U1 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 6166 κομμάτια του onsemi NDD60N745U1-1G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | I-PAK |
Σειρά | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 745mOhm @ 3.25A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 84W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Πακέτο | Bulk |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 50 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 600 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
NDDL01N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAKonsemi -
NDD60N360U1-1G
MOSFET N-CH 600V 11A IPAKonsemi -
NDD60N745U1-35G
MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAKonsemi -
NDD60N745U1T4G
MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAKonsemi -
NDD58PT6-2AET
DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1Insignis Technology Corporation -
NDDS20
NDDS20 NB-IoT Liquid Level SensoChoovio -
NDD60N900U1-35G
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAKonsemi -
NDD60N900U1-1G
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAKonsemi -
NDD60N550U1-1G
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAKonsemi -
NDD58PT6-2AET TR
DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1Insignis Technology Corporation -
NDD60N550U1-35G
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAKonsemi -
NDD60N360U1T4G
MOSFET N-CH 600V 11A DPAKonsemi -
NDD58PT6-2AIT
DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1Insignis Technology Corporation -
NDDP010N25AZ-1H
MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TPonsemi -
NDD60N900U1T4G
MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAKonsemi -
NDDL01N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 800MA DPAKonsemi -
NDD58PFD-2AET TR
DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR DInsignis Technology Corporation -
NDD60N360U1-35G
MOSFET N-CH 600V 11A IPAKonsemi -
NDD60N550U1T4G
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAKonsemi -
NDDP010N25AZT4H
MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FAonsemi