NDD60N550U1-1G
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | NDD60N550U1-1G |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK |
| Πακέτο | I-PAK |
| Σε απόθεμα | 5632 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSonsemi REACHMult Dev EOL 22/Dec/2017NDD60N550U1 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 5632 κομμάτια του onsemi NDD60N550U1-1G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | I-Pak |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 94W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Πακέτο | Tube |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 600 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 8.2A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | NDD60 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
NDD60N360U1-35G
MOSFET N-CH 600V 11A IPAKonsemi -
NDD58PT6-2AIT
DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1Insignis Technology Corporation -
NDD56PT6-2AIT
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD58PFD-2AET TR
DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR DInsignis Technology Corporation -
NDD58PT6-2AET TR
DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1Insignis Technology Corporation -
NDD60N745U1T4G
MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAKonsemi -
NDD60N745U1-35G
MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAKonsemi -
NDDL01N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAKonsemi -
NDD60N745U1-1G
NDD60N745 - POWER MOSFET 600V 6.onsemi -
NDD60N550U1-35G
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAKonsemi -
NDD60N360U1-1G
MOSFET N-CH 600V 11A IPAKonsemi -
NDDL01N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 800MA DPAKonsemi -
NDD60N550U1T4G
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAKonsemi -
NDD60N360U1T4G
MOSFET N-CH 600V 11A DPAKonsemi -
NDD58PFD-2AET
DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR DInsignis Technology Corporation -
NDD60N900U1-1G
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAKonsemi -
NDD60N900U1T4G
MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAKonsemi -
NDD60N900U1-35G
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAKonsemi -
NDD58PT6-2AET
DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1Insignis Technology Corporation -
NDD56PT6-2AIT TR
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP IIInsignis Technology Corporation