IPD80R1K4CEATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD80R1K4CEATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 130525 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Leadframe Chgs 9/Jun/2020Mult Dev Leadframe Rev 30/Jun/2020CoolMOS A/T Chgs 4/Mar/2022 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.614 | $0.547 | $0.427 | $0.352 | $0.278 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 130525 κομμάτια του Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 63W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 800 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD80R1 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80N04S3-06
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80N04S306BATMA1
MOSFET N-CHANNEL_30/40VInfineon Technologies -
IPD80R2K7C3AATMA1
MOSFET N-CH TO252-3Infineon Technologies -
IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7
800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,Infineon Technologies -
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31Infineon Technologies -
IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252Infineon Technologies