IPD78CN10NGATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD78CN10NGATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 241106 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.358 | $0.32 | $0.25 | $0.206 | $0.163 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 241106 κομμάτια του Infineon Technologies IPD78CN10NGATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 31W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 716 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD78CN10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R600CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R950CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31Infineon Technologies -
IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3Infineon Technologies -
IPD75N04S4-06
IPD75N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD75N04S406
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD80N04S306BATMA1
MOSFET N-CHANNEL_30/40VInfineon Technologies -
IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80N04S3-06
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD78CN10NG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3Infineon Technologies