IPD80N06S3-09
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD80N06S3-09 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3-11 |
| Σε απόθεμα | 6025 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideIPD80N06S3-09 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6025 κομμάτια του Infineon Technologies IPD80N06S3-09 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 55µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3-11 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 40A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 107W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 55 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD80N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD78CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD75N04S406
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252Infineon Technologies -
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31Infineon Technologies -
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3Infineon Technologies -
IPD75N04S4-06
IPD75N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD80N04S3-06
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD80N04S306BATMA1
MOSFET N-CHANNEL_30/40VInfineon Technologies -
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD78CN10NG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7
800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,Infineon Technologies -
IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252Infineon Technologies -
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3Infineon Technologies