SISS10ADN-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SISS10ADN-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK |
| Πακέτο | PowerPAK® 1212-8S |
| Σε απόθεμα | 205597 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Mult Dev Wafer Chg 1/Jul/2021SiSS10ADN |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.366 | $0.328 | $0.256 | $0.212 | $0.167 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 205597 κομμάτια του Vishay Siliconix SISS10ADN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® 1212-8S |
| Σειρά | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 15A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® 1212-8S |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3030 pF @ 20 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 40 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 31.7A (Ta), 109A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SISS10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8SVishay Siliconix -
SISS26LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAKVishay Siliconix -
SISHA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAKVishay Siliconix -
SISS28DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISS22LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAKVishay Siliconix -
SISHA18ADN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8SVishay Siliconix -
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISS08DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAKVishay Siliconix -
SISS10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8SVishay Siliconix -
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAKVishay Siliconix -
SISS02DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAKVishay Siliconix -
SISS04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAKVishay Siliconix -
SISS05DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAKVishay Siliconix -
SISS12DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAKVishay Siliconix -
SISNAP915DK
RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KITSilicon Labs -
SISNAP915EK
RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNASilicon Labs -
SISS27ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISS06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAKVishay Siliconix -
SISHA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAKVishay Siliconix