SISH892BDN-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SISH892BDN-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW |
| Πακέτο | PowerPAK® SO-8DC |
| Σε απόθεμα | 286660 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.335 | $0.296 | $0.227 | $0.179 | $0.144 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 286660 κομμάτια του Vishay Siliconix SISH892BDN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® SO-8DC |
| Σειρά | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30.4mOhm @ 10A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.4W (Ta), 29W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® SO-8 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 26.5 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Ta), 20A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SISH617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISNAP915DK
RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KITSilicon Labs -
SISH472DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAKVishay Siliconix -
SISH536DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISHA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAKVishay Siliconix -
SISHA10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAKVishay Siliconix -
SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISH402DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISH434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISHA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAKVishay Siliconix -
SISHA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAKVishay Siliconix -
SISS04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAKVishay Siliconix -
SISH625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISNAP915EK
RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNASilicon Labs -
SISHA06DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISHA18ADN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS02DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAKVishay Siliconix -
SISH407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAKVishay Siliconix