Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SISHA10DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISHA10DN-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SISHA10DN-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK
Πακέτο PowerPAK® 1212-8SH
Σε απόθεμα 227110 pcs
Φύλλο δεδομένων SiSHA10DN
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.335 $0.296 $0.227 $0.18 $0.144
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 227110 κομμάτια του Vishay Siliconix SISHA10DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) +20V, -16V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® 1212-8SH
Σειρά TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® 1212-8SH
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2425 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 51 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 30A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SISHA10

Συνιστώμενα προϊόντα

SISHA10DN-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων