Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SISH617DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH617DN-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SISH617DN-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Πακέτο PowerPAK® 1212-8SH
Σε απόθεμα 247794 pcs
Φύλλο δεδομένων SISH617DN
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.337 $0.296 $0.227 $0.179 $0.143
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 247794 κομμάτια του Vishay Siliconix SISH617DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® 1212-8SH
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® 1212-8SH
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 59 nC @ 10 V
FET Τύπος P-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SISH617

Συνιστώμενα προϊόντα

SISH617DN-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων