FDB047N10
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB047N10 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 38515 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023SOA curve 01/Jul/2013 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.643 | $1.476 | $1.21 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 38515 κομμάτια του onsemi FDB047N10 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 75A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 375W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 15265 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDB047 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAKonsemi -
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7onsemi -
FDB0630N1507L
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7onsemi -
FDB050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAKonsemi -
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAKonsemi -
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263ABonsemi -
FDB050AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB047N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263onsemi -
FDB035N10A
FDB035N10A - N-CHANNEL POWERTRENFairchild Semiconductor -
FDB070AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 15A TO263ABonsemi -
FDB060AN08A0
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAKonsemi -
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAKonsemi -
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB070AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB035AN06A0
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAKonsemi