FDB050AN06A0
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB050AN06A0 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Πακέτο | D2PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 6134 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 6134 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDB050AN06A0 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D2PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 80A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 245W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 80A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAKonsemi -
FDB060AN08A0
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAKonsemi -
FDB0630N1507L
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7onsemi -
FDB075N15A-F085
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKonsemi -
FDB050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAKonsemi -
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7onsemi -
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 15A TO263ABonsemi -
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB035N10A
FDB035N10A - N-CHANNEL POWERTRENFairchild Semiconductor -
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAKonsemi -
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263ABonsemi -
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263onsemi -
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB047N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor