FDB070AN06A0-F085
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB070AN06A0-F085 |
---|---|
Κατασκευαστής | onsemi |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 15A TO263AB |
Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
Σε απόθεμα | 63910 pcs |
Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSonsemi REACHLogo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Device Part Number Chg 30/May/2017EOL NOTICE 30/Mar/2023Cancellation 19/Oct/2021TO263 Dev Pkg Chg 24/May/2018FDB070AN06A0-F085 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
800 | 1600 | 2400 | 5600 |
---|---|---|---|
$0.87 | $0.734 | $0.697 | $0.671 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 63910 κομμάτια του onsemi FDB070AN06A0-F085 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
Σειρά | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 80A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 175W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | FDB070 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB088N08_F141
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB050AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7onsemi -
FDB0630N1507L
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7onsemi -
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB060AN08A0
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAKonsemi -
FDB10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263ABonsemi -
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAKonsemi -
FDB110N15A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDB082N15A
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAKonsemi -
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB088N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAKonsemi -
FDB047N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB075N15A-F085
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKonsemi -
FDB110N15A
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAKonsemi -
FDB088N08
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263ABonsemi