DMT10H003SPSW-13

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMT10H003SPSW-13
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Πακέτο	PowerDI5060-8 (Type Q)
Σε απόθεμα	114140 pcs
Φύλλο δεδομένων	Diodes Environmental Compliance Cert Mult Changes 11/May/2023 DMT10H003SPSW

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

2500	5000
$0.346	$0.333

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 114140 κομμάτια του Diodes Incorporated DMT10H003SPSW-13 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PowerDI5060-8 (Type Q)
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2.2W (Ta), 139W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	8-PowerTDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	5542 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	85 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	152A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMT10