DMT10H010LSS-13
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | DMT10H010LSS-13 |
---|---|
Κατασκευαστής | Diodes Incorporated |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO |
Πακέτο | 8-SO |
Σε απόθεμα | 152450 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Assembly/Materials 25/Mar/2019DMT10H010LSS |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.549 | $0.492 | $0.383 | $0.317 | $0.25 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 152450 κομμάτια του Diodes Incorporated DMT10H010LSS-13 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-SO |
Σειρά | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 1.4W (Ta) |
Συσκευασία / υπόθεση | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | DMT10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
DMT10H015LCG-7
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H015LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H015LFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H009LSS-13
MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&RDiodes Incorporated -
DMT10H009SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220ABDiodes Incorporated -
DMT10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H014LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H015LCG-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H015LFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010LK3-13
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H009SCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT10H009SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H015LPS-13
MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009SCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated