DMT10H009SCG-7
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | DMT10H009SCG-7 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Diodes Incorporated |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333 |
| Πακέτο | V-DFN3333-8 (Type B) |
| Σε απόθεμα | 353822 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Diodes Environmental Compliance CertDMT10H009SCG |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 2000 | 6000 | 10000 |
|---|---|---|
| $0.146 | $0.139 | $0.133 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 353822 κομμάτια του Diodes Incorporated DMT10H009SCG-7 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | V-DFN3333-8 (Type B) |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 1.3W (Ta) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerVDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2085 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 48A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | DMT10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
DMT10H009SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010LK3-13
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT-EXTPS
DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWERAmprobe -
DMT10H003SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50Diodes Incorporated -
DMT10H009LSS-13
MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&RDiodes Incorporated -
DMT10H009LH3
MOSFET N-CH 100V 84A TO251Diodes Incorporated -
DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H009LFG-13
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDIDiodes Incorporated -
DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H009LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009LCG-7
MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H009LFG-7
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDIDiodes Incorporated -
DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220ABDiodes Incorporated -
DMT10H014LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H009SCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT10H009SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated