DMT10H015LCG-7
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | DMT10H015LCG-7 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Diodes Incorporated |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN |
| Πακέτο | V-DFN3333-8 |
| Σε απόθεμα | 235312 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev A/T Site 31/Mar/2021DMT10H015LCG |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.366 | $0.326 | $0.254 | $0.21 | $0.166 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 235312 κομμάτια του Diodes Incorporated DMT10H015LCG-7 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | V-DFN3333-8 |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 1W (Ta) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerVDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1871 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Ta), 34A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | DMT10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
DMT10H017LPD-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50Diodes Incorporated -
DMT10H015LFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H015LFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H015LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H010LK3-13
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H009SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220ABDiodes Incorporated -
DMT10H009SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H025LK3-13
MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H025LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H015LPS-13
MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H014LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H015SK3-13
MOSFET N-CH 100V 54A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H015LCG-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated