DMT10H009LCG-7

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMT10H009LCG-7
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Πακέτο	V-DFN3333-8 (Type B)
Σε απόθεμα	218503 pcs
Φύλλο δεδομένων	Diodes Environmental Compliance Cert DMT10H009LCG

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.438	$0.393	$0.306	$0.253	$0.2

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 218503 κομμάτια του Diodes Incorporated DMT10H009LCG-7 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	V-DFN3333-8 (Type B)
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 20A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	8-PowerVDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2309 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	20.2 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	12.4A (Ta), 47A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMT10