DMT10H010LK3-13
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | DMT10H010LK3-13 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Diodes Incorporated |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 |
| Πακέτο | TO-252-3 |
| Σε απόθεμα | 156533 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Site Chg 6/Aug/2020DMT10H010LK3 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.498 | $0.446 | $0.348 | $0.288 | $0.227 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 156533 κομμάτια του Diodes Incorporated DMT10H010LK3-13 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252-3 |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 13A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3W (Ta) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2592 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 53.7 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 68.8A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | DMT10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
DMT10H009SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220ABDiodes Incorporated -
DMT10H009SCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H009SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SODiodes Incorporated -
DMT10H015LCG-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252Diodes Incorporated -
DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H015LFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H009SCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H009SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT10H009LSS-13
MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&RDiodes Incorporated -
DMT10H015LCG-7
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT10H009LH3
MOSFET N-CH 100V 84A TO251Diodes Incorporated -
DMT10H015LFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT10H009LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060Diodes Incorporated -
DMT10H014LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SODiodes Incorporated