FDB024N06
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB024N06 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 25888 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSLogo 17/Aug/2017Assembly Change 09/May/2023Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014TO263 31/Aug/2016SOA curve 01/Jul/2013FDB024N06 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.96 | $1.762 | $1.443 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 25888 κομμάτια του onsemi FDB024N06 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 75A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 395W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 14885 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 226 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDB024 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7onsemi -
FDB0190N807L
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7onsemi -
FDB024N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7onsemi -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB016N04AL7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB0165N807L
MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7onsemi -
FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7onsemi -
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7onsemi -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB031N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB016N04AL7
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7onsemi -
FDB035AN06A0
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAKonsemi -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB0105N407L
MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7onsemi