FDB0260N1007L
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB0260N1007L |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 |
| Πακέτο | TO-263-7 |
| Σε απόθεμα | 6514 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 6514 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDB0260N1007L σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-263-7 |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 27A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 8545 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7onsemi -
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB0190N807L
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7onsemi -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7onsemi -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7onsemi -
FDB024N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB031N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB035AN06A0
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAKonsemi -
FDB035N10A
FDB035N10A - N-CHANNEL POWERTRENFairchild Semiconductor -
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAKonsemi -
FDB024N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7onsemi -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi