FDB024N08BL7
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB024N08BL7 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 |
| Πακέτο | TO-263-7 |
| Σε απόθεμα | 28270 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSDescription Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Assembly Change 09/May/2023TO263 31/Aug/2016FDB024N08BL7 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.78 | $1.599 | $1.31 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 28270 κομμάτια του onsemi FDB024N08BL7 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-263-7 |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 246W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 13530 pF @ 40 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 178 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 80 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDB024 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7onsemi -
FDB024N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB016N04AL7
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7onsemi -
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB024N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7onsemi -
FDB016N04AL7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB035AN06A0
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAKonsemi -
FDB0190N807L
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7onsemi -
FDB031N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB0165N807L
MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7onsemi -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7onsemi