FDB035N10A
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB035N10A |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 21890 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Logo 17/Aug/2017onsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023FDB035N10A |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $2.795 | $2.51 | $2.056 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 21890 κομμάτια του onsemi FDB035N10A σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 75A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 333W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 7295 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 116 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDB035 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAKonsemi -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263onsemi -
FDB031N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB060AN08A0
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAKonsemi -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263ABonsemi -
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB047N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAKonsemi -
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB035AN06A0
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAKonsemi -
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAKonsemi -
FDB035N10A
FDB035N10A - N-CHANNEL POWERTRENFairchild Semiconductor -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB050AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor