FDB031N08
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB031N08 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 21628 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023SOA curve 01/Jul/2013FDB031N08 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $2.738 | $2.46 | $2.016 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 21628 κομμάτια του onsemi FDB031N08 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 75A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 375W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 15160 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 75 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDB031 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7onsemi -
FDB024N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7onsemi -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAKonsemi -
FDB024N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263onsemi -
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263ABonsemi -
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB035N10A
FDB035N10A - N-CHANNEL POWERTRENFairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB035AN06A0
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAKonsemi -
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAKonsemi -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi