Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NDD60N900U1T4G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NDD60N900U1T4G
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Πακέτο	DPAK
Σε απόθεμα	4632 pcs
Φύλλο δεδομένων	NDD60N900U1 onsemi REACH onsemi RoHS Mult Devices 29/Aug/2017 Mult Devices 01/Sep/2017 NDD60NYYY 25/Jan/2017

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 4632 κομμάτια του onsemi NDD60N900U1T4G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	DPAK
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	74W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	360 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	12 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	5.7A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NDD60

Συνιστώμενα προϊόντα

NDD58PT6-2AIT ~~DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N360U1-1G ~~MOSFET N-CH 600V 11A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD58PT6-2AET ~~DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N745U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDDP010N25AZ-1H ~~MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP~~ ~~onsemi~~
NDDL01N60ZT4G ~~MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N745U1-1G ~~NDD60N745 - POWER MOSFET 600V 6.~~ ~~onsemi~~
NDD60N550U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDDL01N60Z-1G ~~MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N360U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 11A DPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N900U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD58PFD-2AET TR ~~DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR D~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N550U1-1G ~~MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDDS20 ~~NDDS20 NB-IoT Liquid Level Senso~~ ~~Choovio~~
NDD60N550U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N900U1-1G ~~MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N745U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK~~ ~~onsemi~~
NDDP010N25AZT4H ~~MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA~~ ~~onsemi~~
NDD60N360U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 11A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD58PT6-2AET TR ~~DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1~~ ~~Insignis Technology Corporation~~