Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NDDP010N25AZT4H

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NDDP010N25AZT4H
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
Πακέτο	DPAK/TP-FA
Σε απόθεμα	3900 pcs
Φύλλο δεδομένων	NDDP010N25AZ Mult Dev EOL 7/Apr/2021 onsemi REACH onsemi RoHS

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 3900 κομμάτια του onsemi NDDP010N25AZT4H σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	DPAK/TP-FA
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1W (Ta), 52W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	980 pF @ 20 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	16 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	250 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NDDP010

Συνιστώμενα προϊόντα

NDD60N900U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK~~ ~~onsemi~~
NDD58PT6-2AIT ~~DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N360U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 11A DPAK~~ ~~onsemi~~
NDDS20 ~~NDDS20 NB-IoT Liquid Level Senso~~ ~~Choovio~~
NDDP010N25AZ-1H ~~MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP~~ ~~onsemi~~
NDD60N360U1-1G ~~MOSFET N-CH 600V 11A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD58PFD-2AET TR ~~DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR D~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD58PT6-2AET ~~DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N745U1-1G ~~NDD60N745 - POWER MOSFET 600V 6.~~ ~~onsemi~~
NDD60N550U1-1G ~~MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDDL01N60Z-1G ~~MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N550U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N900U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N360U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 11A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD58PT6-2AET TR ~~DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N745U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N550U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N900U1-1G ~~MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDDL01N60ZT4G ~~MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N745U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK~~ ~~onsemi~~