Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NDDL01N60ZT4G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NDDL01N60ZT4G
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK
Πακέτο	DPAK
Σε απόθεμα	6643 pcs
Φύλλο δεδομένων	NDDL01N60Z, NDTL01N60Z onsemi REACH onsemi RoHS Mult Devices 29/Aug/2017 Mult Devices 01/Sep/2017

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 6643 κομμάτια του onsemi NDDL01N60ZT4G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	DPAK
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15Ohm @ 400mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	26W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	92 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	4.9 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	800mA (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NDDL0

Συνιστώμενα προϊόντα

NDD60N360U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 11A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N900U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N360U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 11A DPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N550U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK~~ ~~onsemi~~
NDDP010N25AZ-1H ~~MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP~~ ~~onsemi~~
NDD60N550U1-1G ~~MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD58PT6-2AIT ~~DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N550U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N900U1-1G ~~MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD58PFD-2AET TR ~~DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR D~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N745U1-1G ~~NDD60N745 - POWER MOSFET 600V 6.~~ ~~onsemi~~
NDDL01N60Z-1G ~~MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK~~ ~~onsemi~~
NDD60N745U1-35G ~~MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDDS20 ~~NDDS20 NB-IoT Liquid Level Senso~~ ~~Choovio~~
NDD58PT6-2AET TR ~~DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N360U1-1G ~~MOSFET N-CH 600V 11A IPAK~~ ~~onsemi~~
NDDP010N25AZT4H ~~MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA~~ ~~onsemi~~
NDD60N745U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK~~ ~~onsemi~~
NDD58PT6-2AET ~~DDR 512MB X8 TSOPII 66L 10X22(X1~~ ~~Insignis Technology Corporation~~
NDD60N900U1T4G ~~MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK~~ ~~onsemi~~